Montaje del voltaje SMD SMT de la fuente del dren del MOSFET VDSS de FQD2N80TM N Ch
Number modelo:FQD2N80TM
Lugar del origen:EN
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:3000
Detalles de empaquetado:Los cartones
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Miembro activo
Dirección:
REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Montaje del voltaje SMD SMT de la fuente del dren del MOSFET VDSS de FQD2N80TM N Ch
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK del MOSFET del voltaje de la dren-fuente del canal N del MOSFET de FQD2N80TM To-252 (Vdss) ‘
| onsemi | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | Detalles | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| DPAK-3 | ||
| Canal N | ||
| 1 canal | ||
| 800 V | ||
| 1,8 A | ||
| 6,3 ohmios | ||
| - 30 V, + 30 V | ||
| 3 V | ||
| 15 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 2,5 W | ||
| Aumento | ||
| Carrete | ||
| Corte la cinta | ||
| MouseReel | ||
| Marca: | onsemi/Fairchild | |
| Configuración: | Solo | |
| Tiempo de caída: | 28 ns | |
| Transconductancia delantera - minuto: | 2,4 S | |
| Altura: | 2,39 milímetros | |
| Longitud: | 6,73 milímetros | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Tiempo de subida: | 30 ns | |
| Serie: | FQD2N80 | |
| 2500 | ||
| Subcategoría: | MOSFETs | |
| Tipo del transistor: | 1 canal N | |
| Tipo: | MOSFET | |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 25 ns | |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 12 ns | |
| Anchura: | 6,22 milímetros | |
| Peso de unidad: | 0,011640 onzas |
Montaje del voltaje SMD SMT de la fuente del dren del MOSFET VDSS de FQD2N80TM N Ch
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