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100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs (
Descripción
El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el
crecimiento epitaxial de otros semiconductores de III-V, incluyendo
el arseniuro de galio del indio, el arseniuro de galio de aluminio
y otros.
El arseniuro de galio (fórmula química GaAs) es un compuesto del
semiconductor usado en un poco de diodo s, el transistor s (FETs)
del efecto de campo, y el circuito integrado s (ICs). Las ondas
portadoras, que son sobre todo el electrón s, movimiento en la
velocidad entre el átomo S.
Oblea GaAs-Si | |
Método del crecimiento | VGF |
Tipo de la conducta | S-C-N |
Dopante | GaAs-Si |
Orientación | (100) 15°±0.5° de TowardA<111> |
Ángulo de la orientación | 0° |
De la orientación | EJ [0-1-1] ±0.5° |
De la longitud (milímetros) | 17±1 |
SI orientación | EJ [0-11] ±0.5° |
SI longitud (milímetros) | 7±1 |
Diámetro (milímetros) | 50.8±0.2 |
Cc (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
Resistencia (ohm.cm) | N/A |
Movilidad (cm2/v.s) | ≥1000 |
EPD (/cm2) | ≤5000 |
Grueso (um) | 350±20 |
TTV (um) | <10> |
TTR (um) | <10> |
Arquee (um) | <15> |
Defórmese (um) | <15> |
Superficie | Side1: Side2 pulido: Grabado al agua fuerte |
Empaquetado | Casete o solo |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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