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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si /

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

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Sistema de recocido térmico rápido

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Probador de sensores de efecto Hall

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Oblea del nitruro de aluminio

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Microprocesador del diodo láser

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Cristal del carburo de silicio

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Oblea Ga2O3

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oblea de silicio

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si
substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si
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100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs ( Descripción El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el crecimiento epitaxial de ...
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de un tamaño de 1 mm fr4 Fr4 pcb 0 4 mm

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