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Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje
Se demuestra la integración en chip de diodos láser y fotodetectores con guías de ondas de nanocables de silicio.A través de la unión flip-chip de los diodos láser GaInNAs/GaAs directamente sobre el sustrato de silicio, se logró una disipación de calor eficiente y se lograron temperaturas características de hasta 132K.Se utilizaron convertidores de tamaño de punto para el acoplamiento de láser a guía de ondas, con eficiencias superiores al 60%.
Los fotodetectores se fabricaron mediante la unión de obleas de InGaAs/InP directamente a guías de ondas de silicio y la formación de estructuras de metal-semiconductor-metal, lo que proporciona respuestas de hasta 0,74 A/W.Tanto el diodo láser como el fotodetector se integraron con una sola guía de ondas de silicio para demostrar un enlace de transmisión óptica completo en el chip.
Óptico | |
Longitud de onda central | 915nm |
Potencia de salida | 10W |
Ancho espectral FWHM | ≤6nm |
Eficiencia de pendiente | 1.0W/A |
Divergencia del eje rápido | 60 grados |
Divergencia del eje lento | 11 grados |
Modo de polarización | TE |
Tamaño del emisor | 94um |
Eléctrico | |
Umbral de corriente | 0.5A |
Corriente de funcionamiento | 12A |
Tensión de funcionamiento | 1,65 V |
Eficiencia de conversión de energía | 58% |
Térmico | |
Temperatura de funcionamiento | 15-55 ℃ |
Temperatura de almacenamiento | -30-70 ℃ |
Temperatura de longitud de onda.Coeficiente | 0,3 nm/℃ |
Preguntas más frecuentes
P1: ¿Qué métodos de pago admite?
T/T y Western Union, para su elección
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Normalmente 1-2 semanas FedEx,DHL Express,UPS,TNT
P3: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
Los productos estándar están todos en stock.Envío a través de
Express dentro de 3 ~ 4 días hábiles.La pila personalizada necesita
15 días hábiles.
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