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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Laser Diode Chip / Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58% /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
  • Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
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Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58% Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de ...
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requisitos de potencia del diodo láser Modulo de diodo láser de 650 nm diodo láser de 980nm 300mw

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