Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

Number modelo:JDCD01-001-019
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
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Miembro activo
Shanghai Shanghai China
Dirección: Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm Sustratos U-GaN/SI-GaN autónomos de 2 pulgadas

Sustrato monocristalino de GaN autónomo tipo n sin dopar cara C de 2 pulgadas Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/oblea láser



Descripción general
El estándar en la industria de materiales semiconductores especifica el método para probar la rugosidad superficial del sustrato monocristalino de GaN con un microscopio de fuerza atómica, que se aplica a los sustratos monocristalinos de GaN cultivados mediante deposición química de vapor y otros métodos con una rugosidad superficial inferior a 10 nm.


Sustratos independientes de U-GaN/SI-GaN de 2 pulgadas

Excelente nivel (S)


Nivel de producción (A)

Investigación

nivel (B)

Ficticio

nivel (C)


Nota:

(1) Área utilizable: exclusión de defectos de borde y macro

(2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o

S-1S-2A-1A-2
Dimensiones50,8 ± 1 mm
Espesor350 ± 25 micras
Orientación plana(1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm
Piso orientación secundaria(11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm
Resistividad (300K)

< 0,5 Ω·cm para tipo N (sin dopar; GaN-FS-CU-C50)

o > 1 x 106Ω·cm para semiaislante (dopado con Fe; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV≤ 15 micras
ARCO≤ 20 μm ≤ 40 μm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga

< 0,2 nm (pulido)

o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

N rugosidad de la superficie de la cara

0,5 ~ 1,5 micras

opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)

PaqueteEmpaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas
Área utilizable> 90%>80%>70%
Densidad de dislocación<9.9x105cm-2<3x106cm-2<9.9x105cm-2<3x106cm-2<3x106cm-2
Orientación: plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M

0,35 ± 0,15o

(3 puntos)

0,35 ± 0,15o

(3 puntos)

0,35 ± 0,15o

(3 puntos)

Densidad de macrodefecto (agujero)0cm-2<0,3 cm-2< 1cm-2
Tamaño máximo de macrodefectos< 700 micras< 2000 micras< 4000 micras

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.


Preguntas más frecuentes

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Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

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