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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
  • Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
Productos detallados
350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm Sustratos U-GaN/SI-GaN autónomos de 2 pulgadas Sustrato monocristalino de GaN autónomo tipo n sin dopar cara C de 2 ...
Ver productos detallados →
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¿Qué es una oblea de semiconductores? semiconductor de la oblea ¿Qué es eso?

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