Alto transistor de poder la aspereza IGBT IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A

Number modelo:IKW25N120T2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidad de la fuente:20000pcs por mes
Plazo de expedición:días 3-5work
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
Proveedor Último login veces: Dentro de 29 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

IKW25N120T2,1200 V, 25 Un IGBT discreto con el diodo antiparalelo en el paquete TO-247

Transistores bipolares aislados del transistor IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A Igbt de la puerta

Descripción

1200 V, 25 Un IGBT discreto con el diodo antiparalelo en el paquete TO-247

Tecnología de la parada de campo de la puerta del foso de la característica de Infineon 1200V Gen8 IGBTs entregada en estándar industrial

Paquetes TO-247 para proporcionar el funcionamiento de la mejor-en-clase para los usos industriales y ahorros de energía.

La tecnología Gen8 ofrece características más suaves de la vuelta-apagado ideales para los usos de la impulsión del motor, minimizando

dv/dt para reducir la EMI, y sobretensión, confiabilidad cada vez mayor y aspereza. Infineon 1200V Gen8

IGBTs tiene grados actuales de 8A hasta 60A con VCE típico (ENCENDIDO) de 1.7V, y un grado del cortocircuito

de 10µs para reducir la disipación de poder, dando por resultado densidad de poder y robustez crecientes. Usando fino

tecnología de la oblea, 1200V Gen8 IGBTs entregar resistencia termal mejorada y el empalme máximo

temperatura hasta +175°C.

Características

El descenso más bajo de VCEsat para pérdidas más bajas de la conducción

Pérdidas que cambian bajas

Capacidad que cambia paralela fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat

El emisor antiparalelo de la recuperación muy suave, rápido controló el diodo

Alta aspereza, comportamiento estable de la temperatura

Emisiones bajas de la EMI

Carga baja de la puerta

Distribución apretada misma del parámetro

Usos

 

Aparatos electrodomésticos

Control e impulsiones de motor

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)

EnvíoPeríodo de entrega

 
Para las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende del abajo   portadores que usted eligió:
DHL expresa, 3-7 días laborales.
Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
 

Tarifas de envío

 

Después de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío   de acuerdo con el peso de las mercancías

 

Opciones de envío

 

Proporcionamos a DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y registrado     Envío internacional del correo aéreo.

 

Seguimiento del envío

 

Le notificaremos por el correo electrónico con orden del número de seguimiento una vez   se envía.

 

Vuelta
garantía

Vuelta

 

Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas dentro de 30   días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y adentro   empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para   envío.

 

Garantía

 

Todas las compras de Retechip vienen con un día 30 de devolución   la política de devoluciones, esta garantía no se aplicará a ningún artículo de dónde   los defectos han sido causados por la asamblea incorrecta del cliente,   fracaso del cliente para seguir las instrucciones, producto   operación de la modificación, negligente o incorrecta

 

El ordenar

 
Pago
 

 
T/T, Paypal, tarjeta de crédito incluye la visa, amo, americano   Expreso.
 

 
 

 
China Alto transistor de poder la aspereza IGBT IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A supplier

Alto transistor de poder la aspereza IGBT IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A

Carro de la investigación 0