Eficacia alta del alto rendimiento de los transistores de poder de HMC915LP4ETR RF

Transistor de poder de HMC915LP4ETR RF - eficacia alta del alto rendimiento

Especificaciones de producto:

- Gama de frecuencia: 9-10GHz
- Aumento del poder: DB 13
- De potencia de salida: dBm 23
- Voltaje de fuente: +5V
- Consumo actual: 1.2A
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Impedancia de entrada: 50 ohmios
- Paquete: 4m m x 4m m QFN

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