Transistor de poder de HMC406MS8GETR RF 5GHz de alta frecuencia y salida de poder

Transistor de poder de HMC406MS8GETR RF

Características de producto:

- Gigahertz de la operación de la banda ancha de 0,1 a 6,0
- Alta ganancia: DB 15,5 en 0,9 gigahertz
- Poder de alto rendimiento: dBm 19,5 en 0,9 gigahertz
- Figura de poco ruido: DB 2,6 en 0,9 gigahertz
- Eficacia añadida poder más elevado: el 34% en 0,9 gigahertz
- IP3 de alto rendimiento: dBm +27 en 0,9 gigahertz
- Consumo bajo de la corriente continua: 890 mW en 3V
- Frecuencia de atajo de poca intensidad del aumento: Fc = 7,3 gigahertz
- Alta estabilidad: °C +25 al °C +85
- Sin plomo, paquete obediente de RoHS

Usos:

- Usos del amplificador de poder más elevado
- Sistemas de comunicación de la banda ancha
- Infraestructura inalámbrica
- Enlaces por radio de punto a punto
- sistemas del Multi-portador GSM/EDGE
- Sistemas de W-CDMA/HSPA/LTE

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>

• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.

Cómo comprar >>>

• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
• La charla en línea, la comisión sería respondida CUANTO ANTES.

>>> del servicio

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