Funcionamiento de poco ruido del poder más elevado de los transistores de poder de HMC849ALP4CETR RF

Funcionamiento de poco ruido del poder más elevado del transistor de poder de HMC849ALP4CETR RF

Transistores de poder de HMC849ALP4CETRR RF

Características de producto:

- Frecuencia de funcionamiento: hasta 4.5GHz
- Aumento: 11-14dB
- De potencia de salida de terminación única: +30dBm
- Tipo del paquete: Soporte superficial
- Aumento del poder: 16dB
- VSWR entrado: máximo del 1.5:1
- Voltaje máximo de la Dren-fuente: 20V
- Voltaje máximo de la Puerta-fuente: 10V
- En-resistencia de la Dren-fuente: 0,4 ohmios

Usos:

- Infraestructura celular
- Sistemas de comunicación militares
- Redes de área local inalámbricas (red inalámbrica (WLAN))
- Sistemas de comunicación de la banda ancha

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