Poder más elevado del transistor de poder de SI1000-C-GM RF y ancho de banda amplio de la eficacia

Transistor de poder de SI1000-C-GM RF

Características:

• Alta ganancia
• Figura de poco ruido
• Salida de poder más elevado
• Funcionamiento de banda ancha
• Disipación de pocas calorías
• Ningún conjunto de circuitos diagonal externo requerido

Especificaciones:
• Gama de frecuencia: 1.8-2.7 gigahertz
• Aumento del poder: minuto 12dB
• Salida de poder: 25W
• Figura de ruido: tipo 4dB
• Voltaje de funcionamiento: 25V
• Actual de funcionamiento: 1A máximo
• Paquete: Soporte superficial, TO-247

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