Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento 2N7002K-T1-GE3

2N7002 K-T 1- alto rendimiento de GE3

Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N

Descripción de producto:

El 2N7002K-T1-GE3 es un MOSFET del modo del aumento del canal N diseñado para la baja tensión, usos que cambian de alta velocidad. Este MOSFET ofrece una resistencia baja del en-estado, una velocidad rápidamente que cambia, y una alta capacidad actual máxima.

Características de producto:

- Modo del aumento del canal N
- Resistencia baja del en-estado
- Transferencia de alta velocidad
- Capacitancia baja de la entrada
- Alta capacidad actual máxima
- Grado máximo del voltaje: 30V
- Grado actual máximo: 200mA
- Disipación de poder máxima: 500mW
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

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