Electrónica de poder del MOSFET IPD60R1K4C6 - carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de gran intensidad

Anuncio del producto:

El canal N de IPD 60R1K4C6 aumentó especificaciones del MOSFET:

•Voltaje: 60V

•Resistencia: 1KΩ

•Capacitancia: 4C6

•Actual: 5A

•Paquete: TO-252

•Características: En-resistencia baja, capacitancia baja de la entrada, y velocidad que cambia rápida.

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