Rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SQ7415AEN-T1_GE3 alto y solución confiable de la transferencia del poder

Poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3

Alto rendimiento de la electrónica y solución confiable de la transferencia del poder

Parámetros:

• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): -55V

• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): -20V

• Drene la corriente (identificación): -60 A

• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0,0045 Ω

• Disipación de poder (paladio): 42 W

• Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento: -55°C a 175°C

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