Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Number modelo:AO4620
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento AO4620
Descripción general
El AO4620 utiliza los MOSFETs avanzados de la tecnología del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar en inversor y otros usos. El producto estándar AO4620 es Pb-libre (las reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones).
Características
canal N p-canal
VDS (v) = 30V -30V
Identificación = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)
RDS (ENCENDIDO) RDS (ENCENDIDO)
< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)
< 36m="">GS=4.5V) < 60m=""> GS = -4.5V)
Grados máximos absolutos TA =25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Parámetro | Símbolo | Canal N máximo | P-canal máximo | Unidades | |
|---|---|---|---|---|---|
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 30 | -30 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±20 | ±20 | V | |
| Dren continuo F actual | TA =25°C | Identificación | 7,2 | -5,3 | |
| TA =70°C | 6,2 | -4,5 | |||
| Dren pulsado B actual | IDM | 30 | -30 | ||
| Disipación de poder F | TA =25°C | Paladio | 2 | 2 | W |
| TA =70°C | 1,44 | 1,44 | W | ||
| Avalancha B actual | IAR | 13 | 17 | ||
| Energía repetidor 0.3mH B de la avalancha | OÍDO | 25 | 43 | mJ | |
| Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | -55 a 150 | °C | |
B: Grado repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura de empalme.
La disipación de poder de F.The y el grado actual se basan en el grado de la resistencia termal del ≤ 10s de t.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| AD9254BCPZ-150 | 1500 | ANUNCIO | 16+ | QFN |
| ADE-10H | 1500 | MINI | 16+ | SOP6 |
| CNY74-4 | 1500 | FSC | 13+ | DIP16 |
| CY2305SXC-1HT | 1500 | CYPRESS | 15+ | SOP8 |
| IRFP23N50L | 1500 | IR | 16+ | TO-3P |
| L7824 | 1500 | ST | 16+ | TO-220 |
| LFCN-530+ | 1500 | MINI-CIRC | 14+ | SMD |
| LNK304PN | 1500 | PODER | 14+ | DIP-7 |
| LPS6235-104MLC | 1500 | COILCRAFT | 14+ | SMD |
| LT1248CN | 1500 | LT | 16+ | INMERSIÓN |
| MB15E07SLPFV1 | 1500 | FUJITSU | 16+ | TSSOP |
| SN74HC165DR | 1500 | TI | 13+ | COMPENSACIÓN |
| V30200C-E3/4W | 1500 | VISHAY | 15+ | TO-220 |
| PC733 | 1501 | SOSTENIDO | 16+ | INMERSIÓN |
| HCPL-0466-500E | 1517 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
| BDW47 | 1520 | EN | 14+ | TO-220 |
| STF13NK50Z | 1520 | ST | 14+ | TO-220 |
| M51995AP | 1522 | MIT | 14+ | INMERSIÓN |
| XC3S1600E-4FGG320C | 522 | XILINX | 16+ | BGA |
| RC4558P | 1528 | TI | 16+ | DIP8 |
| ADA4528-2ARM | 1550 | ADI | 13+ | MSOP8 |
| PIC16F648A-I/P | 1555 | MICROCHIP | 15+ | INMERSIÓN |
| TLP2531 | 1558 | TOSHIBA | 16+ | SOP8 |
| IRFP150N | 1577 | IR | 16+ | TO-247 |
| IR2520DPBF | 1580 | IR | 14+ | DIP-8 |
| EP3C10F256C8N | 1588 | ALTERA | 14+ | BGA |
| IRFPC60 | 1588 | IR | 14+ | TO-247 |
| LM2917N-8 | 1588 | NS | 16+ | DIP8 |
| TDA7851L | 1633 | ST | 16+ | ZIP25 |
| NCP1203D60R2 | 1665 | EN | 13+ | SOP-8 |
Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Carro de la investigación
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