MOSFET de potencia de 40A en un paquete TO-247 STW48N60DM2 Transistor de efecto de campo

Número de modelo:STW48N60DM2
Cantidad mínima de pedido:Negociable
Condiciones de pago:T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro:Cantidad disponible 51208 Piezas
Tiempo de entrega:Negociable
Modelo de producto:STW48N60DM2
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Dirección: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Proveedor Último login veces: Dentro de 16 Horas
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Detalles del producto
  1. Diodo de cuerpo de recuperación rápida
  2. Carga de puerta y capacidad de entrada extremadamente bajas
  3. Baja resistencia
  4. Prueba de avalancha del 100%
  5. Durabilidad muy alta dv/dt
  • Protegido por Zener
  1. Aplicaciones
  • Cambiar de aplicación
  • Descripción
  • Este Power MOSFET de alto voltaje de canal N es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh TM DM2. Ofrece una carga de recuperación muy baja (Qrr) y un tiempo (trr) combinado con un bajo RDS ((on),lo que lo hace adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS
  •  

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No se puede hacer más que eso.OPA2378AIDCN (en inglés)A4403GEUTR-T
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Se aplicará el procedimiento de ensayo.El equipo de la dirección de la empresaEl objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
MGA-62563-TR1G, también conocido como MGA-62563-TR1Se aplicará el procedimiento siguiente:MIMXRT1051CVJ5B: el número de unidades y el número de unidades.
FDS6675BZ: las condiciones de las mismas son las siguientes:AD8031ARTZSe aplican los siguientes requisitos:
No se puede hacer nada.OPA2330El objetivo de la medida es:
Diagrama del chip

Las revisiones

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

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