Módulo IGBT de transistor bipolar de puerta aislada APT50GT60BRDQ2G Microsemi Corporation 50GT60
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:Negociable
Plazo de expedición:Negociable
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Capacidad de la fuente:100000
Number modelo:APT50GT60BRDQ2G
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Detalles del producto
APT50GT60BRDQ2G Módulo de potencia IGBT Transistores IGBT individuales
APT50GT60BRDQ2G Especificaciones
| Estado de la pieza | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | TNP |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600V |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 110A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2,5 V a 15 V, 50 A |
| Potencia - Máx. | 446W |
| Energía de conmutación | 995 µJ (encendido), 1070 µJ (apagado) |
| Tipo de entrada | Estándar |
| Carga de la puerta | 240nC |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condición de prueba | 400 V, 50 A, 5 ohmios, 15 V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 22ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | A-247 [B] |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Condición | Nueva fábrica original |
Embalaje APT50GT60BRDQ2G
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