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Situación de la parte | Activo |
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Tipo del FET | Canal N 2 (dual) |
Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 30V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 25A |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 9,3 mOhm @ 15A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Poder - máximo | 22W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | PowerPAK® SO-8 dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 dual |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |