Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF

Número de modelo:BLF174XR
Lugar del origen:ESTADOS UNIDOS
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por año
Plazo de expedición:1-2 días hábiles
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Mosfet LDMOS (dual), fuente común 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR RF


600 transistor de poder extremadamente rugoso de W LDMOS para la difusión y los usos industriales en el HF a la banda de 128 megaciclos


Característica


1, control de poder fácil

2, protección integrada del ESD

3, aspereza excelente

4, eficacia alta

5, estabilidad termal excelente

6, diseñado para el  de banda ancha de la operación (HF a 128 megaciclos) obediente a 2002/95/EC directivo, con respecto a la restricción de las sustancias peligrosas (RoHS)


Uso


Usos industriales, científicos y médicos

Usos del transmisor de la difusión


Tipo del transistorLDMOS (dual), fuente común
Frecuencia108MHz
Aumento28.5dB
Voltaje - prueba50V
Grado actual-
Figura de ruido-
Actual - prueba100mA
Poder - salida600W
Voltaje - clasificado110V
Paquete/casoSOT-1214A
Paquete del dispositivo del proveedorSOT1214A

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QM25DL-1P5PULSO K4S640832K-UC75SAMSUNG
China Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF supplier

Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF

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