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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Koben

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Casa / Productos / Mosfet Power Transistor / Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF /

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Chip CI programable

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chip CI electrónico

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Unidad del microcontrolador de MCU

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transistor de poder del mosfet

 [67]

Condensador de fines generales

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Módulo de alimentación IGBT

 [22]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

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Oscilador superficial del soporte

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Piezas del interruptor de eje de balancín

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chip de alta potencia led

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Varistor

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Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF
Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF
  • Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF
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Mosfet LDMOS (dual), fuente común 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR RF 600 transistor de poder extremadamente rugoso de W LDMOS para ...
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el transistor 25a Transistores de 5401dm Transistor de potencia 2n3055

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