Banda ancha de alta velocidad DC del transistor de poder del RF del material sólido a 3GHz 120W

Número de modelo:VBE6006H
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
Capacidad de la fuente:10k
Plazo de expedición:5-8 días laborables
Detalles de empaquetado:embalaje neutral
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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