Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura
Número de modelo:SiC 4H-P
Lugar de origen:China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:1000pc/month
Polytype:4H-P
Densidad:3,23 G/cm3
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto:
Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo de eje apagado: 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura
El sustrato de carburo de silicio 4H-P (SiC) es un material
semiconductor de alto rendimiento con una estructura de red
hexagonal única.mientras que "tipo P" se refiere a la conductividad
del tipo P obtenida por elementos dopantes como el aluminioEl
diseño de 4,0° fuera del eje optimiza aún más su rendimiento
eléctrico y térmico, dándole ventajas significativas en alta
temperatura, alta frecuencia y alta potencia electrónica.
Características:
- - ¿ Qué?Espacio de banda ancha:El carburo de silicio de tipo 4H-P tiene una banda ancha de aproximadamente 3,26 eV, lo que lo hace capaz de soportar temperaturas y voltajes más altos y adecuado para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.
- Alta conductividad térmica:Su conductividad térmica es de aproximadamente 4,9 W / m · K, mucho mayor que los materiales de silicio, puede conducir y disipar el calor de manera efectiva, adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia.
- Baja resistividadEl carburo de silicio dopado de tipo P tiene una baja resistividad, lo que favorece la construcción de una unión PN y mejora el rendimiento del dispositivo.
- Alta dureza y dureza:Muy alta resistencia mecánica y resistencia para aplicaciones en condiciones adversas.
- Válvula de corte de alta tensión:La capacidad de los dispositivos para soportar voltajes más elevados contribuye a reducir su tamaño y a mejorar la eficiencia energética.
- Baja pérdida de conmutación:Buenas características de conmutación en el funcionamiento de alta frecuencia para mejorar la eficiencia general.
- Resistencia a la corrosión:Tiene una buena resistencia a la corrosión a una variedad de productos químicos, lo que mejora la estabilidad y fiabilidad del dispositivo.
Parámetro técnico:
6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado | 精选级 (sección de selección)Z. 级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) | 工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) | 测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) | ||
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | - ¿ Qué?elel eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: | ||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
Aplicaciones:
- Vehículos eléctricos:en los módulos de accionamiento y estaciones de carga de los vehículos eléctricos, 4H-P silicon carbide substrates can be used to manufacture power devices such as highly efficient IGBTs (insulated gate bipolar transistors) to optimize power conversion efficiency and extend battery range.
- ¿ Qué?
- El inversor:Se utiliza para fabricar inversores de alto rendimiento para convertir la corriente continua en corriente alterna, que se utiliza ampliamente en la generación de energía solar,generación de energía eólica y otros campos para mejorar la eficiencia de la conversión de energía.
- Amplificador de alta potencia:En las comunicaciones y los sistemas de radar, los sustratos SIC tipo 4H-P se pueden utilizar para fabricar amplificadores de alta potencia que proporcionan un rendimiento confiable de alta frecuencia y mejoran la transmisión de la señal.
- Tecnología LED:En el campo de la iluminación de semiconductores, se puede utilizar para fabricar chips LED de alta eficiencia y alta confiabilidad, mejorar la eficiencia luminosa,y se utiliza ampliamente en la luz de fondo de pantalla de cristal líquido, iluminación del paisaje, luces de automóviles y otros campos.
- Red inteligente:En la transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC) y la gestión de la red, los sustratos de carburo de silicio 4H-P se pueden utilizar para fabricar dispositivos de potencia eficientes, mejorar la eficiencia energética y la estabilidad,y contribuir a un sistema de red más inteligente y fiable.
- El sensor:En el campo de los sensores, puede utilizarse para fabricar sensores de alta sensibilidad y alta estabilidad, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.que se utilizan ampliamente en la electrónica automotriz, equipos médicos, vigilancia del medio ambiente y otros campos.
- Equipo industrial:Los equipos e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura, como hornos de alta temperatura, equipos de tratamiento térmico, etc., mejoran la estabilidad y la vida útil del equipo.
Muestra de muestra:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es el efecto de 4,0° fuera del eje en el rendimiento del sustrato de carburo de silicio?
R: El corte fuera del eje ayuda a mejorar las propiedades eléctricas y mecánicas del sustrato SIC, como aumentar la movilidad del portador y optimizar la topografía de la superficie.mejorando así el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.
2. P: ¿Cuál es la diferencia entre el sustrato de carburo de silicio 4H-P fuera del eje a 4.0 ° y el sustrato axial estándar?
R: Un sustrato con 4,0° fuera del eje puede tener mejores propiedades eléctricas y mecánicas, como una mayor movilidad del portador y una mejor topografía de la superficie.pero las diferencias específicas deben determinarse de acuerdo con el escenario de aplicación y el diseño del dispositivo.
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Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura
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