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Casa / Productos / SiC Substrate / Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura /

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Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura
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Descripción del producto: Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo de eje apagado: 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura El ...
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