Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio
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Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio
Resumen de la oblea de semillas de SiC
Las obleas de semilla de SiC son críticas en la producción de cristales de carburo de silicio (SiC) de alta calidad.ampliamente utilizados en la electrónica de potencia debido a su conductividad térmica superior y alto voltaje de rupturaLas obleas de semillas de SiC de grado de producción se someten a un estricto control de calidad para garantizar el ambiente de crecimiento óptimo para los cristales de SiC.Las obleas de semillas se clasifican típicamente por pureza e integridad estructural.Las tecnologías avanzadas, como el transporte físico de vapor (PVT), permiten la obtención de datos sobre el rendimiento de los dispositivos basados en SiC, como los MOSFET y los diodos Schottky.dependen de estas obleas para producir cristales libres de defectos para aplicaciones industriales.
La foto de la oblea de semillas de SiC
Propiedades de la oblea de semillas de SiC
Las obleas de semillas de SiC de grado de producción se definen por su alta pureza e integridad estructural, que son fundamentales para el crecimiento exitoso de los cristales de carburo de silicio.La pureza de la oblea influye directamente en la calidad del cristal que se cultivará en ella
Las impurezas pueden dar lugar a defectos en la estructura cristalina, reduciendo la eficiencia y el rendimiento de los dispositivos semiconductores de SiC resultantes.Las obleas de semillas de SiC de alta pureza aseguran que el proceso de crecimiento del cristal sea estableAdemás, la integridad estructural de la oblea, incluida su planitud y suavidad de superficie,es esencial para promover el cristalecimiento uniforme
Las obleas con mínimos defectos aseguran que los cristales de SiC producidos sean de alta calidad y capaces de soportar condiciones exigentes en aplicaciones de electrónica de potencia.
Aplicaciones de las obleas de semillas de SiC
- Electrónica de potencia
Las obleas de semilla de SiC son cruciales en la producción de electrónica de alto rendimiento.bajas pérdidas por cambioLos componentes basados en SiC, como los MOSFET y los diodos Schottky, se utilizan en diversos sistemas de energía,incluidos los vehículos eléctricos, motores industriales y sistemas de conversión de potencia.Estos dispositivos ofrecen una mejor eficiencia y rendimiento en ambientes de alta temperatura y alto voltaje en comparación con los semiconductores tradicionales a base de silicio.
- Dispositivos de alta frecuencia
En sistemas de comunicación y aplicaciones de radar, las obleas de semilla de SiC permiten el crecimiento de cristales de SiC utilizados en dispositivos de alta frecuencia.La capacidad del material para funcionar a frecuencias más altas con pérdidas de señal reducidas lo hace ideal para dispositivos de RF (radio frecuencia) y microondasEstos dispositivos se utilizan en redes de comunicación avanzadas, sistemas aeroespaciales y tecnologías de defensa, donde el rendimiento en condiciones extremas es esencial.El uso de obleas de semilla de SiC permite la producción de dispositivos de alta frecuencia que son más eficientes y confiables en la transmisión y recepción de señales.
- LED y optoelectrónica
Las obleas de semilla de SiC también se utilizan en la producción de dispositivos optoelectrónicos, incluidos los diodos emisores de luz (LED) y los diodos láser.El carburo de silicio sirve como sustrato para el crecimiento del nitruro de galio (GaN)Estos dispositivos son importantes para aplicaciones en iluminación de estado sólido, pantallas y soluciones de iluminación de alta eficiencia.La estabilidad térmica y mecánica de los SiC a altas temperaturas permite productos LED más eficientes y duraderos, ampliando aún más sus aplicaciones en sistemas de iluminación automotriz, comercial y residencial.
Especificación
Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio
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