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Casa / Productos / SiC Substrate / Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio /

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Equipo del semiconductor

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Oblea LiNbO3

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Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio
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