Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620

Número de modelo:AO4620
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8000pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento AO4620

 

Descripción general

Las aplicaciones AO4620 avanzadas trench los MOSFETs de la tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta. Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar en inversor y otros usos. El producto estándar AO4620 es Pb-libre (resuelve ROHS y Sony 259 especificaciones).

 

Características

   p-canal del canal N

VDS (v) = 30V -30V

ID = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS(ENCENDIDO) RDS(ENCENDIDO)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m="">GS = -4.5V)

 

 

Grados máximos absolutos TA =25°C a menos que se indicare en forma diferente

ParámetroSímboloCanal N máximoP-canal máximoUnidades
Voltaje de la Dren-fuenteVDS30-30V
Voltaje de la Puerta-fuenteVGS±20±20V
Dren continuo F actualTA =25°CID7,2-5,3A
TA =70°C6,2-4,5A
Dren pulsado B actualIDM30-30A
Disipación de poder FTA =25°CPD22W
TA =70°C1,441,44W
Avalancha B actualIAR1317A
Energía repetidor 0.3mH B de la avalanchaEAR2543mJ
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamientoTJ, TSTG-55 a 150-55 a 150°C

B: Grado repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura de empalme.

La disipación de poder de F.The y el grado actual se basan en el grado de la resistencia termal del ≤ 10s de t.

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
AD9254BCPZ-1501500ANUNCIO16+QFN
ADE-10H1500MINI16+SOP6
CNY74-41500FSC13+DIP16
CY2305SXC-1HT1500CYPRESS15+SOP8
IRFP23N50L1500IR16+TO-3P
L78241500ST16+TO-220
LFCN-530+1500MINI-CIRC14+SMD
LNK304PN1500PODER14+DIP-7
LPS6235-104MLC1500COILCRAFT14+SMD
LT1248CN1500LT16+INMERSIÓN
MB15E07SLPFV11500FUJITSU16+TSSOP
SN74HC165DR1500TI13+COMPENSACIÓN
V30200C-E3/4W1500VISHAY15+TO-220
PC7331501AGUDO16+INMERSIÓN
HCPL-0466-500E1517AVAGO16+SOP-8
BDW471520EN14+TO-220
STF13NK50Z1520ST14+TO-220
M51995AP1522MIT14+INMERSIÓN
XC3S1600E-4FGG320C522XILINX16+BGA
RC4558P1528TI16+DIP8
ADA4528-2ARM1550ADI13+MSOP8
PIC16F648A-I/P1555MICROCHIP15+INMERSIÓN
TLP25311558TOSHIBA16+SOP8
IRFP150N1577IR16+TO-247
IR2520DPBF1580IR14+DIP-8
EP3C10F256C8N1588ALTERA14+BGA
IRFPC601588IR14+TO-247
LM2917N-81588NS16+DIP8
TDA7851L1633ST16+ZIP25
NCP1203D60R21665EN13+SOP-8

 

 

 

 

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Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620

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