El cojín de la conductividad termal del silicón cubre 0,40% para los dispositivos de memoria masiva
Number modelo:TIF1180-50-11US
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1000PCS
Capacidad de la fuente:100000pcs/day
Plazo de expedición:3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado:1000pcs/bag
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección:
Edificio B8, distrito industrial II, Xicheng, municipio de Hengli, 523460 ciudad de Dongguan
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Gama amplia de hojas disponibles del silicón de los hardnesses para los dispositivos de memoria masiva, 0,40%
El TIF1180-50-11US es un silicón basado, termalmente cojín conductor del hueco. Su construcción unreinforced permite conformidad adicional. Este producto tiene dureza baja es conforme y está aislando eléctricamente. La característica baja del módulo del producto ofrece funcionamiento termal óptimo con la facilidad de la dirección
TIF100-50-11US-Datasheet-REV02.pdf
Características
> Buen conductor termal: 5,0 W/mK
>Grueso: 4.5mmT
>dureza: 20 shore00
>Color: Gris
>Construcción fácil del lanzamiento
>Eléctricamente aislando
>Alta durabilidad
Usos
>Fuente de alimentación del LED
>Regulador del LED
>LED Ceilinglamp
>Supervisión de la caja del poder
>Adaptadores de AD-DC
>Poder impermeable del LED
Propiedades típicas de las series de TIF1180-50-11US | ||||
Color | gris | Representación visual | Grueso compuesto | Impedance@10psi termal (℃-en el ² /W) |
Construcción y Compostion | Elastómero de silicón llenado de cerámica | *** | 10mils/0,254 milímetros | 0,16 |
20mils/0,508 milímetros | 0,20 | |||
Gravedad específica | 2.9g/cc | ASTM D297 | 30mils/0,762 milímetros | 0,31 |
40mils/1,016 milímetros | 0,36 | |||
| Grueso | 4.5mmT | *** | 50mils/1,270 milímetros | 0,42 |
60mils/1,524 milímetros | 0,48 | |||
Dureza | 20 orilla 00 | ASTM 2240 | 70mils/1,778 milímetros | 0,53 |
80mils/2,032 milímetros | 0,63 | |||
Desgasificación (TML) | 0,40% | ASTM E595 | 90mils/2,286 milímetros | 0,73 |
100mils/2,540 milímetros | 0,81 | |||
Los Continuos utilizan a temporeros | -40 a 160℃ | *** | 110mils/2,794 milímetros | 0,86 |
120mils/3,048 milímetros | 0,93 | |||
Voltaje de avería dieléctrica | >5500 VAC | ASTM D149 | 130mils/3.302m m | 1,00 |
140mils /3.556 milímetro | 1,08 | |||
Constante dieléctrica | 4,2 megaciclos | ASTM D150 | 150mils/3,810 milímetros | 1,13 |
160mils/4,064 milímetros | 1,20 | |||
Resistencia de volumen | 1.0X1012 Ohmio-cm | ASTM D257 | 170mils/4,318 milímetros | 1,24 |
180mils/4,572 milímetros | 1,32 | |||
Grado del fuego | 94 V0 | equivalente UL | 190mils/4,826 milímetros | 1,41 |
200mils/5,080 milímetros | 1,52 | |||
Conductividad termal | 5,0 W/m-K | ASTM D5470 | Visua l ASTM D751 | ASTM D5470 |
Perfil de compañía
Material electrónico y Technology Ltd de Ziitek. es una compañía del R&D y de la producción, nosotros tenemos muchas líneas de montaje y tecnología de proceso de materiales conductores termales, posee el equipo de producción avanzado y el proceso optimizado, puede proporcionar las diversas soluciones termales para diversos usos.
Tamaños estándar de las hojas:
8" x 16" (203m m x 406m m)
Las formas cortadas con tintas individuales de la serie de TIF™ pueden ser suministradas.
FAQ:
Q: ¿Hacen a compradores grandes tener precios promocionales?
: Sí, si usted es un comprador grande en cierta área, Ziitek proveerá de usted los precios promocionales, que le ayudarán a comenzar su negocio aquí. Los compradores con la cooperación a largo plazo tendrán mejores precios.
El cojín de la conductividad termal del silicón cubre 0,40% para los dispositivos de memoria masiva
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