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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD3NK80Z-1 solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD3NK80Z-1 solos wholesale
  • China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD3NK80Z-1 solos wholesale

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD3NK80Z-1 solos
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Número de parte :STD3NK80Z-1
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :SuperMESH™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones STD3NK80Z-1

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 800V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 70W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 4,5 ohmios @ 1.25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor Yo-Pak
Paquete/caso Ventajas del cortocircuito TO-251-3, IPak, TO-251AA
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STD3NK80Z-1

Detección

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Etiquetas de productos:

metal oxide semiconductor field effect transistor

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