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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7942DP-T1-GE3

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China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7942DP-T1-GE3 wholesale
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7942DP-T1-GE3
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Número de parte :SI7942DP-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descripción :MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :TrenchFET®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones SI7942DP-T1-GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.8A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso PowerPAK® SO-8 dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 dual
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SI7942DP-T1-GE3

Detección

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