Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

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Memoria de destello EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN Ic 20 megaciclos 8-SOIC

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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Memoria de destello EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN Ic 20 megaciclos 8-SOIC

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Number modelo :25LC512T-I/SN
Lugar del origen :América
Cantidad de orden mínima :3300 PCS
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente :6K PCS
Plazo de expedición :2-3 días
Detalles de empaquetado :3300 PCS/Tape
Categoría :Memoria
Mfr :Tecnología del microchip
paquete :Cinta y cinta del carrete (TR) /Cut (CT)
Tipo de la memoria :Permanente
Formato de la memoria :EEPROM
Tecnología :EEPROM
Tamaño de la memoria :512Kbit
Organización de la memoria :64K x 8
Interfaz de la memoria :SPI
Frecuencia de reloj :20 megaciclos
Voltaje - fuente :2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C (TA)
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Memoria IC 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN EEPROM 20 megaciclos 8-SOIC

Descripción:

El Microchip Technology Inc. 25LC512 es 512 una memoria serial de Kbit EEPROM con el byte-nivel y el página-nivel

funciones seriales de EEPROM. También ofrece las funciones del borrado de la página, del sector y del microprocesador asociadas típicamente a Flash-basado

productos. Estas funciones no se requieren para el byte o la página escribe operaciones. La memoria está alcanzada vía un serial simple

Autobús serial compatible periférico del interfaz (SPI). Las señales del autobús requeridas son una entrada de reloj (SCK) más datos separados en (el SI)

y de los datos líneas hacia fuera (TAN). El acceso al dispositivo es controlado por una entrada de Chip Select (CS).

 

Detalle rápido:

Fabricante
Tecnología del microchip
Fabricante Product Number
25LC512T-I/SN
Descripción
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
Descripción detallada
Memoria IC 512Kbit SPI de EEPROM 20 megaciclos 8-SOIC

 

Cualidades de producto:

TIPO
DESCRIPCIÓN
Categoría
Memoria
Mfr
Tecnología del microchip
Situación del producto
Activo
Digi-Key programable
Verificado
Tipo de la memoria
Permanente
Formato de la memoria
EEPROM
Tecnología
EEPROM
Tamaño de la memoria
512Kbit
Organización de la memoria
64K x 8
Interfaz de la memoria
SPI
Frecuencia de reloj
20 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página
5ms
Voltaje - fuente
2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Número bajo del producto
25LC512

 

Recursos adicionales:

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Otros nombres
25LC512TISN
25LC512T-I/SNDKR
25LC512T-I/SNTR
25LC512T-I/SNCT
Paquete estándar 3300

Características

• 20 megaciclos de frecuencia de reloj máxima

• El byte y el Página-nivel escriben operaciones:

- página 128-byte

- máximo de 5 ms.

- Ningún borrado de la página o del sector requirió

• Tecnología de baja potencia del Cmos:

- Max. Write Current: 5 mA en 5.5V, 20 megaciclos

- Actual leída: 10 mA en 5.5V, 20 megaciclos

- Corriente espera: 1  A en 2.5V (powerdown profundo)

• Firma electrónica para la identificación del dispositivo

• Borrado Uno mismo-sincronizado y escribir ciclos:

- Borrado de la página (ms 5, típicos)

- Borrado del sector (10 ms/sector, típicos)

- Borrado a granel (ms 10, típicos)

• El sector escribe la protección (byte 16K/sector):

- No proteja ninguno, 1/4, el 1/2 o todo el arsenal

• El accesorio escribe la protección:

- Poder-en/del conjunto de circuitos de la protección de datos

- Write permitir el cierre

- Perno de la protección de escritura

• Alta confiabilidad:

- Resistencia: 1 millón borran/para escribir ciclos

- Retención de los datos: años >200

- Protección del ESD: >4000V

• Las gamas de temperaturas apoyaron:

- (i) industrial: -40°C a +85°C

- (e) extendido: -40°C a +125°C

• RoHS obediente

• AEC-Q100 automotriz calificó

Imagen de los datos:

Memoria de destello EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN Ic 20 megaciclos 8-SOIC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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