Number modelo :FDC6321C
Lugar del origen :Estados Unidos
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente :30K PCS
Plazo de expedición :2-3 días
Detalles de empaquetado :3000PCS/Tape
Fabricante :onsemi
Categoría :El FET, MOSFET pone en orden
Número del producto :FDC6321C
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Configuración :N y P-canal
Característica del FET :Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :680mA, 460mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :450mOhm @ 500mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :2.3nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :50pF @ 10V
Poder - máximo :700mW
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo :Soporte superficial
Paquete/caso :SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor :SuperSOT™-6
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