Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Hongxinwei Para adoptar nueva tecnología, para producir productos de la calidad, para ofrecer servicio de clase superior.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
6 Años
Casa / Productos / IGBT Module /

Alta UL baja del transistor de las pérdidas IGBT de la transferencia del poder IGBT de la estabilidad de DC reconocida

Contacta
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:Mr段
Contacta

Alta UL baja del transistor de las pérdidas IGBT de la transferencia del poder IGBT de la estabilidad de DC reconocida

Preguntar último precio
Número de modelo :FF600R12IE4
Lugar del origen :Hungría
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :50pcs/month
Plazo de expedición :4weeks
Detalles de empaquetado :10pcs/box
Aplicaciones :CAV; Conduce; Solar; Tracción; UPS; Viento
Configuración :Dual
IC ()/SI del nom (nom) :IC ()/SI del nom (nom)
Calificación :Industrial
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

PrimePACK™ 2 1200 V, 600 módulo dual del semipuente IGBT de A con TRENCHSTOP™ IGBT4, emisor controló 4 el diodo, FF600R12IE4

 

Le han reorientado de resultados de búsqueda. ¿No qué usted está buscando? Vea los resultados para ‘FF600R12IE4.

Descripción
Compre en línea
  • FF600R12IE4 (alemán/inglés) EN/DEEN/CNEN/JA

    02_04 | 2013-12-09 | pdf | 1,7 MB

PrimePACK™ 2 1200 V, 600 módulo dual del semipuente IGBT de A con TRENCHSTOP™ IGBT4, emisor controló el diodo 4, NTC y el microprocesador rápido de la transferencia. También disponible con el material termal del interfaz.

Resumen de características:

  • Vj extendido de la temperatura Tde la operaciónde Op. Sys.
  • Alta estabilidad de DC
  • Alta capacidad del cortocircuito, uno mismo que limita la corriente del cortocircuito
  • Pérdidas bajas de la transferencia
  • Robustez imbatible
  • VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
  • 4 kilovoltios de aislamiento mínimo de la CA 1
  • Paquete con CTI > 400
  • Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación
  • Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
  • Substrato para la resistencia termal baja
  • UL reconocida

Ventajas:

  • Densidad de poder más elevado
  • Vivienda estandardizada

Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?

A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?

Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

Alta UL baja del transistor de las pérdidas IGBT de la transferencia del poder IGBT de la estabilidad de DC reconocida

Carro de la investigación 0