Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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MOSFET del canal N de FQA11N90F109 900V con una corriente máxima del dren de 11A y de un resista bajo del en-estado

MOSFET del canal N de FQA11N90F109 900V con una corriente máxima del dren de 11A y de un resista bajo del en-estado
  • MOSFET del canal N de FQA11N90F109 900V con una corriente máxima del dren de 11A y de un resista bajo del en-estado
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Nombre de producto: FQA11N90F109 Detalle rápido: El FQA11N90F109 es un MOSFET del canal N 900V con una corriente máxima del dren de 11A y una ...
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