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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Soporte superficial PMDS de IC 2,12 V 1 W del diodo Zener de PTZTFTE252.0B para automotriz

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China Soporte superficial PMDS de IC 2,12 V 1 W del diodo Zener de PTZTFTE252.0B para automotriz wholesale
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Soporte superficial PMDS de IC 2,12 V 1 W del diodo Zener de PTZTFTE252.0B para automotriz
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Number modelo :PTZTFTE252.0B
Cantidad de orden mínima :50pcs
Capacidad de la fuente :1000000 piezas
Estilo de montaje :SMD/SMT
Paquete/caso :2 voltios
Pd - Disipación de potencia :1 W
Corriente de Zener :200 UA
Impedancia de Zz - de Zener :25 ohmios
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Soporte superficial PMDS del diodo Zener 2,12 V 1 W el ±5.66% de PTZTFTE252.0B

Diodos Zener automotrices del semiconductor PTZTF de ROHM

Los diodos Zener automotrices del semiconductor PTZTF de ROHM son AEC-Q101 calificaron los diodos Zener optimizados para la regulación de voltaje automotriz. Los diodos Zener de PTZTF ofrecen un 2.0V a la gama del voltaje de 40.0V Zener y un 10mA a la gama actual de 40mA Zener. Estos dispositivos exhiben un 4Ω a la disipación de la gama y de poder 1000mW de la impedancia de 25Ω Zener.

Los diodos Zener automotrices del semiconductor PTZTF de ROHM están disponibles en un paquete compacto del superficie-soporte de DO-214AC (SMA).

CARACTERÍSTICAS

  • AEC-Q101 calificó
  • 2.0V a la gama del voltaje de 40.0V Zener (VZ)
  • 10mA a la gama actual de 40mA Zener (yoZ)
  • 10μA a la gama actual del revés 200μA (yoR)
  • 4Ω a la gama de la impedancia de 25Ω Zener (ZZ (Ω))
  • disipación de poder 1000mW (PD)
  • temperatura de empalme 150°C (Tj)
  • -55°C a la temperatura de almacenamiento de +150°C (Tstg)
  • Estructura planar epitaxial del silicio
  • Paquete de DO-214AC (SMT)

USOS

  • Regulación de voltaje
  • Rectificación automotriz

CIRCUITO INTERNO

Soporte superficial PMDS de IC 2,12 V 1 W del diodo Zener de PTZTFTE252.0B para automotriz

ESQUEMA DEL PAQUETE

Soporte superficial PMDS de IC 2,12 V 1 W del diodo Zener de PTZTFTE252.0B para automotriz
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