El campo del foso del módulo de VS-GT90DA120U IGBT para el solo soporte SOT-227 de 1200 chasis de V 169 A 781 W
Módulos de poder de los semiconductores IGBT de Vishay
La tecnología de la pinta IGBT del foso de la característica de los módulos de poder de los semiconductores IGBT de Vishay y se adapta hacia las soldadoras de TIG. Este IGBTs combina HEXFRED® y tecnología del diodo del ® de FRED Pt y cumple estándares de la UL. La característica de INT-A-PAK en algunas variantes permite diseños con los requisitos limitados de la altura que requieren altos voltajes y corrientes. El paquete de EMIPAK-2B ofrece pernos PressFit y un substrato expuesto para el funcionamiento termal mejorado. La disposición optimizada ayuda a minimizar parámetros perdidos, teniendo en cuenta un mejor funcionamiento de la EMI. Los módulos de poder de los semiconductores IGBT de Vishay se utilizan en usos tales como impulsiones del motor del dispositivo, impulsiones del motor del vehículo eléctrico, inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), y convertidores de la corrección de factor de poder.
CARACTERÍSTICAS
- Tecnología de la pinta IGBT del foso
- variantes de la tecnología de la parada del foso 1200V y de campo
- Diodos antiparalelos de FRED Pt con la recuperación rápida
- Tecnología PressFit de los pernos
- Diodo antiparalelo de HEXFRED con características reversas ultrasoft de la recuperación
- Substrato expuesto Al2O3 con resistencia termal baja
- Termistor integrado
- Inductancias internas bajas
- Pérdida que cambia baja
- Cortocircuito clasificado
- Cuadrado RBSOA
- Paquete completamente aislado
- Inductancia interna muy baja
- Esquema del estándar industrial
- La UL aprobó el fichero E78996
- V bajoCE (encendido)
- Al2O3DBC
- Diseñado para el nivel industrial
USOS
- Soldadura de alta frecuencia industrial
- Soldadura de TIG
- UPS
- Inversores solares
- fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS)
- Corrección de factor de poder (PFC)
- Calefacción de inducción
