Los módulos de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack son parada de campo de la puerta del foso IGBTs con RBSOA cuadrado. Los módulos ofrecen HEXFRED® Qrr bajo, energía que cambia baja, y coeficiente de temperatura positivo de VCE (en). Los dispositivos también tienen una placa de base de cobre, diseño perdido bajo de la inductancia, y se diseñan y se califican para los mercados industriales.

CARACTERÍSTICAS

Parada de campo de la puerta del foso IGBT
Cuadrado RBSOA
HEXFRED® Qrr bajo, energía que cambia baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE (encendido)

Placa de base de cobre
Diseño perdido bajo de la inductancia
Diseñado y calificado para los mercados industriales

USOS

Eficacia de la prueba patrón para la soldadura del HF del aprecio de SMPS particularmente
Funcionamiento transitorio rugoso
La EMI baja, requiere menos el rechazo

Soporte lleno del chasis del puente 1200V 118A 431W del módulo del transistor de VS-GT75YF120NT IGBT

Circuitos integrados ICs

Lógica programable ICs

Diodo Zener IC

RF Pin Diode

Diodo del componente electrónico

Retransmisiones de estado sólido

Módulo del transistor de IGBT

Conectores de la entrada-salida

Condensadores de cerámica de múltiples capas

Acoplador óptico de la impulsión de la puerta

Micrófono de Digitaces Mems

Fan Tubeaxial

Botón de la pila del dióxido del manganeso del litio

Obstrucciones comunes del modo

Retransmisiones de fines generales

Conectores estándar sub de D

Gestión ICs del poder

Soporte lleno del chasis del puente 1200V 118A 431W del módulo del transistor de VS-GT75YF120NT IGBT

Soporte lleno del chasis del puente 1200 V 118 A 431 W de la parada de campo del foso del módulo de VS-GT75YF120NT IGBT

Módulos de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack

CARACTERÍSTICAS

USOS

h bridge igbt

full h bridge mosfet driver

half bridge igbt