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módulo del transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo del foso IGBT AFGHL40T120RLD

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Parada de campo del foso de AFGHL40T120RLD IGBT 1200 V 48 A 529 W a través del agujero TO-247-3 Cualidad de producto Valor del atributo Cualidad ...

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en5408 equivalente de diodo el conjunto de generación de energía de 15 kV Diodo en 5408

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