Los diodos de barrera de RBQx Schottky del semiconductor de ROHM son AEC-Q101 calificaron la alto-confiabilidad I bajoDiodos de R para la rectificación general. Estos diodos ofrecen un tipo del molde del poder, el tipo dual común del cátodo, y la estructura planar epitaxial del silicio. Los diodos de barrera de RBQx Schottky se almacenan en -55°C a la gama de temperaturas 150°C. Estos diodos funcionan en la temperatura de empalme 150°C y la sobretensión del pico 100A adelante. Los diodos de barrera de RBQx Schottky son ideales para el uso en fuente de alimentación que cambia.

CARACTERÍSTICAS

Alta confiabilidad
Tipo del molde del poder
Estructura planar epitaxial del silicio

Tipo dual común del cátodo
Bajo yoR

ESPECIFICACIONES

temperatura de empalme 150°C
-55°C a la gama de temperaturas de almacenamiento 150°C

sobretensión delantera del pico 100A

Etiquetas de productos:

Soporte superficial electrónico TO-277A del diodo 100V 3A del componente RBQ3RSM10BTL1

Circuitos integrados ICs

Lógica programable ICs

Diodo Zener IC

RF Pin Diode

Diodo del componente electrónico

Retransmisiones de estado sólido

Módulo del transistor de IGBT

Conectores de la entrada-salida

Condensadores de cerámica de múltiples capas

Acoplador óptico de la impulsión de la puerta

Micrófono de Digitaces Mems

Fan Tubeaxial

Botón de la pila del dióxido del manganeso del litio

Obstrucciones comunes del modo

Retransmisiones de fines generales

Conectores estándar sub de D

Gestión ICs del poder

Soporte superficial electrónico TO-277A del diodo 100V 3A del componente RBQ3RSM10BTL1

Soporte superficial TO-277A de Schottky 100 V 3A del diodo RBQ3RSM10BTL1

Diodos de barrera de RBQx Schottky del semiconductor de ROHM

CARACTERÍSTICAS

ESPECIFICACIONES

surface mount diode identification

diode stack sr u620806

dc voltmeter panel mount