Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Soporte superficial electrónico DFN1006BD-2 del diodo 85 V 325mA del componente de BAS116LSYL

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Soporte superficial electrónico DFN1006BD-2 del diodo 85 V 325mA del componente de BAS116LSYL

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Number modelo :BAS116LSYL
Cantidad de orden mínima :50pcs
Capacidad de la fuente :1000000 piezas
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) :85 V
Corriente - Media Rectificada (Io) :325mA
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si :1,25 V a 150 mA
Velocidad :=< rápido 500ns de la recuperación, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) :3 µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr :nA 5 @ 75 V
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Soporte superficial DFN1006BD-2 del estándar 85 V 325mA del diodo de BAS116LSYL

Diodo de la Bajo-salida de Nexperia BAS116LS-Q

El diodo de la Bajo-salida de Nexperia BAS116LS-Q se contiene en un ultra-pequeño paquete plástico Superficie-montado sin plomo del dispositivo DFN1006BD-2 (SOD882BD) (SMD). El paquete tiene lados lado-mojables. La característica de BAS116LS-Q un rato que cambia de t máximorr = 3µs, y una corriente baja de la salida del máximo. YoR = 5nA.

CARACTERÍSTICAS

  • Tiempo que cambia t máximorr= 3µs
  • Máximo actual de la salida baja. YoR= 5nA
  • ≤ máximo repetidor 85V del voltaje reverso VRRM
  • Capacitancia baja C típicad= 2pF
  • paquete plástico Ultra-pequeño y sin plomo de SMD
  • Conveniente para la inspección óptica automática (AOI) de la junta de la soldadura
  • Calificó según AEC-Q101 y recomendó para el uso en usos automotrices

USOS

  • usos actuales de la Bajo-salida
  • Transferencia de fines generales
Carro de la investigación 0