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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Casa / Productos / Semiconductor Equipment / El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas /

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Sic substrato

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Oblea de silicio de IC

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El alambre vio la máquina

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Zafiro sintético Rod

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Placa del cuarzo fundido

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Piezas del zafiro

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Piedra preciosa sintética

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Equipo del semiconductor

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Oblea LiNbO3

 [18]

Oblea del fosfuro de indio

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substrato de cerámica

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Envoltura del laboratorio

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Oblea del nitruro del galio

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Oblea del GaAs

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El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas
El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas
  • El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas
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Introducción del horno de cultivo de lingotes de SiC El horno de cultivo de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely, TSSG y LPE para cultivar ...
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