El horno de cultivo de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely, TSSG y LPE para cultivar cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas
Los equipos de crecimiento de lingotes de SiC se centran en el crecimiento de cristales grandes en tamaños de 4 ", 6 "y 8" y alcanzan tasas de crecimiento rápidas.el diseño incorpora un sistema de gradiente de temperatura axial regulado con precisión, ajuste flexible del gradiente radial de temperatura y una curva de cambio de temperatura suave, que en conjunto promueven el aplanamiento de la interfaz de crecimiento del cristal,con un valor de las partículas de aluminio superior o igual a 0,01 mm.
Al optimizar la distribución del campo térmico, el equipo reduce efectivamente la pérdida de materias primas, mejora la tasa de utilización efectiva del polvo y reduce significativamente el desperdicio de material.Además, el dispositivo permite un control preciso de los gradientes de temperatura axial y radial, lo que ayuda a reducir la tensión y la densidad de dislocación dentro del cristal.Estos beneficios se traducen directamente en rendimientos de cristal de mayor calidad, reducen los niveles de tensión interna y mejoran la consistencia del producto, lo que lo convierte en una herramienta indispensable para la producción a gran escala y rentable de cristales de SiC.
Tipo de cristal especial para hornos de cultivo de lingotes de SiC
El horno de crecimiento de lingotes de SiC es el equipo central de la tecnología de crecimiento de cristales de SiC, que soporta las necesidades de producción de diferentes tamaños de obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.El dispositivo integra varios procesos avanzados, incluido el PVT (transferencia física de vapor), el método Lely, el TSSG (método de solución de gradiente de temperatura) y el LPE (método de epitaxia de fase líquida).El método PVT logra el crecimiento del cristal mediante sublimación y recristalización a altas temperaturas, el método Lely se utiliza para la preparación de semillas de cristal de alta calidad, el método TSSG controla la tasa de crecimiento del cristal mediante gradientes de temperatura,y la regla LPE es adecuada para el crecimiento preciso de las capas epitaxialesLa combinación de estas tecnologías mejora significativamente la eficiencia de crecimiento y la calidad de los cristales de SiC.
El diseño del horno de crecimiento de SiC le permite crecer flexiblemente una variedad de estructuras cristalinas, como 4H, 6H, 2H y 3C,entre las cuales la estructura 4H es la primera opción para dispositivos de potencia debido a sus excelentes propiedades eléctricasEstas estructuras cristalinas tienen importantes aplicaciones en dispositivos de potencia SiC y materiales semiconductores, especialmente en electrónica de potencia, vehículos de nueva energía, comunicaciones 5G,y dispositivos de alto voltaje, donde pueden mejorar significativamente el rendimiento y la eficiencia energética del dispositivo.
Además, el horno de crecimiento de SiC garantiza una alta homogeneidad del crecimiento del cristal y una baja tasa de defectos a través de un control preciso de la temperatura y un entorno de crecimiento optimizado.Su capacidad de producción no sólo se refleja en el crecimiento estable de cristales de alta calidad, pero también para satisfacer las necesidades de la producción industrial a gran escala, proporcionando un soporte técnico fiable para la amplia aplicación de materiales SiC.
Ventajas del horno de cultivo de lingotes Sic
1Diseño de campo térmico único
Las ventajas de diseño del método de resistencia PVT de ZMSH se reflejan principalmente en los dos puntos siguientes:
According to the process needs to design a single or multiple independent temperature controllable heaters to meet the needs of precise control of large size SiC crystal growth temperature and raw material heating temperature, el gradiente de temperatura radial del crecimiento del cristal es controlable, lo que es más propicio para el crecimiento del cristal de gran tamaño (especialmente más de 8 pulgadas).Las ondas electromagnéticas emitidas por diferentes bobinas en el método de inducción (bobinas 1 y 2 en la figura anterior) tendrán regiones transversales, lo que resulta difícil de controlar con precisión la temperatura de crecimiento del cristal.
El mecanismo de elevación está diseñado para encontrar el gradiente de temperatura longitudinal adecuado según las características de los diferentes calentadores.Un mecanismo giratorio está diseñado para eliminar la temperatura desigual de la circunferencia del crisol.
- El gradiente de temperatura axial es controlable, el gradiente de temperatura radial es ajustable, la línea de temperatura es suave, la interfaz de crecimiento del cristal es aproximadamente plana,y el grosor del cristal aumenta.
- Reducir el consumo de materias primas: el campo térmico interno se distribuye uniformemente, lo que hace que la distribución de la temperatura interna de las materias primas sea más uniforme,Mejorar en gran medida la tasa de utilización del polvo y reducir los residuos.
- No existe un fuerte acoplamiento entre la temperatura axial y la temperatura radial.que es la clave para resolver el estrés del cristal y reducir la densidad de dislocación del cristal.
2Alta precisión de control
El control de alta precisión del horno de crecimiento de cristales de SiC es una de sus principales ventajas técnicas, que se refleja principalmente en los siguientes aspectos:0005% para garantizar la estabilidad y la consistencia del proceso de calentamiento; La precisión de control del caudal de gas es de ± 0,05 L/h para garantizar el suministro preciso de gas de reacción; La precisión de control de la temperatura es de ± 0,5 °C,que proporciona un ambiente de campo térmico uniforme para el crecimiento de cristalesLa precisión de control de presión de la cavidad es de ± 10 Pa y se mantienen condiciones de crecimiento estables.Estos parámetros de control de alta precisión trabajan juntos para garantizar el crecimiento de alta calidad de los cristales de SiC.
Los componentes clave del horno de crecimiento de SiC incluyen válvula proporcional, bomba mecánica, medidor de flujo de gas, bomba molecular y fuente de alimentación.La válvula proporcional se utiliza para regular con precisión el flujo de gas y afectar directamente la concentración y distribución del gas de reacciónLas bombas mecánicas y moleculares trabajan juntas para proporcionar un ambiente de alto vacío y reducir el impacto de las impurezas en el crecimiento del cristal.Los medidores de flujo de gas aseguran la exactitud de la entrada de gas y mantienen condiciones de crecimiento establesLa fuente de alimentación de alta precisión proporciona una entrada de energía estable al sistema de calefacción para garantizar la precisión del control de la temperatura.El trabajo conjunto de estos componentes juega un papel decisivo en la tasa de crecimiento de la industria., calidad cristalina y control de defectos de los cristales de SiC.
Los hornos de crecimiento de SiC de ZMSH ofrecen una garantía fiable para la producción de alta calidad de cristales de SiC gracias a su control de alta precisión y diseño optimizado de los componentes clave.Esto no sólo promueve la amplia aplicación de dispositivos de potencia de SiC en los campos de la electrónica de potencia, los nuevos vehículos de energía y la comunicación 5G, pero también sienta una base sólida para el desarrollo innovador de la tecnología de semiconductores en el futuro.A medida que la demanda de materiales SiC continúa creciendo, los avances tecnológicos de los hornos de crecimiento de SiC de ZMSH impulsarán aún más a la industria hacia un mayor rendimiento y un menor coste.
3. funcionamiento automático
- Respuesta automática:Monitoreo de la señal, retroalimentación de la señal
- Alarma automática:Advertencia de sobrecarga, seguridad dinámica
- Punto de activación:Sistema experto, interacción hombre-computadora
- Control automático:Control y almacenamiento en tiempo real de los parámetros de producción, acceso remoto y control de terminales móviles
Los hornos de carburo de silicio (SiC) de ZMSH incorporan tecnología de automatización de vanguardia diseñada para aumentar la eficiencia operativa.Está diseñado con un sistema de monitoreo automático que puede responder a los cambios de señal en tiempo real y proporcionar retroalimentación, mientras que activa automáticamente las alarmas si los parámetros exceden un rango preestablecido.permitir a los usuarios controlar los parámetros en tiempo real y lograr un control precisoAdemás, el sistema tiene una función de aviso activo incorporada, que es conveniente para el soporte remoto por expertos, pero también optimiza la experiencia de interacción entre humanos y máquinas,garantizar el buen funcionamiento.
Esta serie de características innovadoras reduce significativamente la necesidad de intervención manual, refuerza la precisión de gestión del proceso de producción,garantiza efectivamente la producción de alta calidad de lingotes de SiC, y sienta una base sólida para la mejora de la eficiencia en entornos de fabricación a gran escala.
Display de horno de crecimiento de cristal único de carburo de silicio
Parámetros del horno de crecimiento de lingotes
| Horno de 6 pulgadas |
Fuego de 8 pulgadas |
| Proyecto |
Parámetro |
Proyecto |
Parámetro |
| Método de calentamiento |
Calentamiento por resistencia al grafito |
Método de calentamiento |
Calentamiento por resistencia al grafito |
| Potencia de entrada |
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. |
Potencia de entrada |
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. |
| Temperatura máxima de calentamiento |
2300°C |
Temperatura máxima de calentamiento |
2300°C |
| Potencia térmica nominal |
80 kW |
Potencia térmica nominal |
80 kW |
| Rango de potencia del calentador |
La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: |
Rango de potencia del calentador |
La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: |
| Consumo de energía por ciclo |
Las demás instalaciones de combustión interna |
Consumo de energía por ciclo |
Las demás instalaciones de combustión interna |
| Ciclo de crecimiento del cristal |
5D ~ 7D |
Ciclo de crecimiento del cristal |
5D ~ 7D |
| Tamaño de la máquina principal |
La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. |
Tamaño de la máquina principal |
La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. |
| Peso principal de la máquina |
≈ 2000 kg |
Peso principal de la máquina |
≈ 2000 kg |
| Flujo de agua de refrigeración |
6 m3/h |
Flujo de agua de refrigeración |
6 m3/h |
| El límite de vacío del horno frío |
5 × 10−4 Pa |
El límite de vacío del horno frío |
5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera del horno |
Argón (5N), nitrógeno (5N) |
Atmosfera del horno |
Argón (5N), nitrógeno (5N) |
| Materia prima |
Partículas de carburo de silicio |
Materia prima |
Partículas de carburo de silicio |
| Tipo de cristal del producto |
4 horas |
Tipo de cristal del producto |
4 horas |
| espesor de cristal del producto |
18 mm ~ 30 mm |
espesor de cristal del producto |
≥ 15 mm |
| Diámetro efectivo del cristal |
≥ 150 mm |
Diámetro efectivo del cristal |
≥ 200 mm |
Nuestros servicios
Soluciones personalizadas para hornos de crecimiento de cristales de SiC
Ofrecemos soluciones de horno de crecimiento de cristales de SiC a medida que combinan tecnologías avanzadas como PVT, Lely, TSSG / LPE para satisfacer las diversas necesidades de producción de nuestros clientes.Desde el diseño hasta la optimización, estamos involucrados en todo el proceso para asegurar que el rendimiento del equipo se ajuste con precisión a los objetivos del cliente, y para ayudar al crecimiento eficiente y de alta calidad de los cristales de SiC.
Servicio de formación de clientes
Proporcionamos a nuestros clientes servicios integrales de formación que abarcan el funcionamiento de los equipos, el mantenimiento de rutina y la solución de problemas.Asegúrese de que su equipo pueda dominar el uso de las habilidades del equipo, mejora la eficiencia de la producción y prolonga la vida útil de los equipos.
Instalación y puesta en marcha profesionales en el emplazamiento
Enviamos un equipo profesional para proporcionar servicios de instalación y puesta en marcha en el sitio para garantizar que el equipo se ponga en funcionamiento rápidamente.A través del estricto proceso de instalación y la verificación del sistema, garantizamos la estabilidad y el rendimiento del equipo para alcanzar el estado óptimo, proporcionando una garantía confiable para su producción.
Servicio postventa eficiente
Proporcionamos un soporte post-venta receptivo, con un equipo profesional en espera para resolver problemas en el funcionamiento del equipo.Estamos comprometidos a reducir el tiempo de inactividad, asegurando que su producción continúe funcionando de manera eficiente y maximizando el valor de su equipo.
Preguntas frecuentes:
