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El sustrato de carburo de silicio 4H-P (SiC) es un material semiconductor de alto rendimiento con una estructura de red hexagonal única.mientras que "tipo P" se refiere a la conductividad del tipo P obtenida por elementos dopantes como el aluminioEl diseño de 4,0° fuera del eje optimiza aún más su rendimiento eléctrico y térmico, dándole ventajas significativas en alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia electrónica.
6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado |
精选级 (sección de selección)Z. 级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) |
工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) |
测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) |
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| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea |
- ¿ Qué?elel eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: |
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| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
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| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
- ¿ Qué?
1P: ¿Cuál es el efecto de 4,0° fuera del eje en el rendimiento del sustrato de carburo de silicio?
R: El corte fuera del eje ayuda a mejorar las propiedades eléctricas y mecánicas del sustrato SIC, como aumentar la movilidad del portador y optimizar la topografía de la superficie.mejorando así el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.
2. P: ¿Cuál es la diferencia entre el sustrato de carburo de silicio 4H-P fuera del eje a 4.0 ° y el sustrato axial estándar?
R: Un sustrato con 4,0° fuera del eje puede tener mejores propiedades eléctricas y mecánicas, como una mayor movilidad del portador y una mejor topografía de la superficie.pero las diferencias específicas deben determinarse de acuerdo con el escenario de aplicación y el diseño del dispositivo.
Etiqueta: #Sic wafer, #substrato de carburo de silicio, tipo #4H-P, #eje fuera: 2.0°-4.0° hacia adelante, #Sic tipo 4H-P