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GaN dopado con Mg tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
Las propiedades eléctricas del GaN dopado con Mg de tipo p se investigan a través de mediciones de efecto Hall de temperatura variable.Se prepararon muestras con un rango de concentraciones de dopaje con Mg mediante deposición en fase de vapor de sustancias químicas metalorgánicas.
Se observan una serie de fenómenos a medida que la densidad del dopante aumenta a los valores altos que normalmente se usan en aplicaciones de dispositivos: la profundidad de energía del aceptor efectivo disminuye de 190 a 112 meV, la conducción de impurezas a baja temperatura se vuelve más prominente, la relación de compensación aumenta y la la movilidad de la banda de valencia cae bruscamente.
| Sustratos de zafiro/GaN dopado con magnesio de 4 pulgadas | ||
| Artículo | GaN-TCP-C100 |
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| Dimensiones | 100 ± 0,2 mm | |
| Grosor/Grosor STD | 4,5 ± 0,5 μm / < 3 % | |
| Orientación | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ± 0,1 ° | |
| Plano de Orientación de GaN | (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| Tipo de conducción | tipo P | |
| Resistividad (300K) | < 10 Ω·cm | |
| Concentración de portadores | > 1x1017cm-3(concentración de dopaje de p+GaN ≥ 5 x 1019cm-3) | |
| Movilidad | > 5cm2/V·s | |
| *XRD FWHM | (0002) < 300 segundos de arco, (10-12) < 400 segundos de arco | |
| Estructura |
~ 0,5 μm p+GaN/~ 1,5 μm p-GaN /~ 2,5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN tampón/430 ± 25 μm zafiro |
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| Orientación de Zafiro | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ± 0,1 ° | |
| Plano de Orientación de Zafiro | (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| Pulido de zafiro | Una cara pulida (SSP) / Doble cara pulida (DSP) | |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) | |
| Paquete |
Envasado en sala blanca en contenedores: caja de oblea individual (< 3 PCS) o casete (≥ 3 PCS) |
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Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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