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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ciudad:hong kong

País/Región:china

Persona de contacto:MrTom Guo

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China Circuito integrado Ic, MOSFET discreto de 2N7002K-7 SOT23 del FET de los dispositivos de semiconductor solo wholesale

Circuito integrado Ic, MOSFET discreto de 2N7002K-7 SOT23 del FET de los dispositivos de semiconductor solo

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Number modelo :2N7002K-7

Cantidad de orden mínima :>=1pcs

Capacidad de la fuente :100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days

Plazo de expedición :2-3Days

Detalles de empaquetado :La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caja,

Lugar del origen :China

Condiciones de pago :D/A, L/C, Western Union, D/P, , T/T

De potencia de salida :Estándar

Protocolo :Estándar

Voltaje de funcionamiento :5V

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)

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Microprocesador a estrenar y original del FET, del MOSFET del semiconductor discreto de 2N7002K-7 SOT23 solo del circuito integrado

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte 2N7002K-7 es fabricado por los DIODOS y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre 2N7002K-7 detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad 2N7002K-7 a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	380mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	50 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	370mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número bajo del producto	2N7002

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