Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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SCR sensibles del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac de S6025L 1-70 amperios de PUERTA NO SENSIBLE

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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SCR sensibles del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac de S6025L 1-70 amperios de PUERTA NO SENSIBLE

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Number modelo :S6025L
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :8500pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :El SCR 600 V 25 una recuperación estándar a través del agujero TO-220 aisló la etiqueta
Gama de temperaturas de funcionamiento (TO-92) :-65 °C al °C +125
Gama de temperaturas de funcionamiento (el resto de los paquetes) :-40 °C al °C +125
Gama de temperaturas de almacenamiento (TO-92) :-65 °C al °C +150
Temperatura de la soldadura de la ventaja :230 ºC
capacidad del voltaje :200 V a 1000 V
Capacidad de oleada :950 A
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SCR (1 A a 70 A)

Descripción general

La línea de Teccor de semiconductores del SCR del tiristor es los rectificadores de media-onda, unidireccionales, puerta-controlados que complementan la línea de Teccor de SCR sensibles. Teccor ofrece los dispositivos con grados de 1 A a 70 A y 200 V a 1000 V, con sensibilidades de la puerta a partir de 10 mA a 50 mA. Si las corrientes de la puerta en el µA 12 a 500 gamas del µA se requieren, vea la sección de los “SCR sensibles” de este catálogo.

Tres paquetes se ofrecen en la construcción eléctricamente aislada en donde la caja o la etiqueta internamente se aísla para permitir el uso de la asamblea barata y de técnicas de empaquetado convenientes.

La línea de Teccor de SCR ofrece empalmes vidrio-apaciguados para asegurar estabilidad a largo plazo de la confiabilidad y del parámetro. El vidrio de Teccor ofrece una barrera rugosa, confiable contra la contaminación del empalme.

Las variaciones de los dispositivos cubiertos en esta hoja de datos están disponibles para crean usos para requisitos particulares. Consulte la fábrica para más información.

Características

• RoHS obediente

• paquete Eléctrico-aislado

• Capacidad de alto voltaje — 200 V a 1000 V

• Alta capacidad de oleada — hasta 950 A

• microprocesador Vidrio-apaciguado

SCR de Compak

• Paquete superficial del soporte — 1 a la serie

• Paquete tres-plomado de Compak del nuevo pequeño perfil

• Empaquetado en cinta grabada en relieve del portador con 2.500 dispositivos por carrete

• Puede substituir SOT-223

Condiciones de prueba específicas

di/dt — Tarifa-de-subida máxima de la corriente del en-estado; IGT = 150 mA con tiempo de subida de los µs del ≤ 0,1

dv/dt — Índice crítico de voltaje delantero aplicado

I 2t — En-estado (sin repetición) de la oleada del RMS actual para el período del ms 8,3 para fundirse

IDRM e IRRM — Apagado-estado máximo adelante e invertir actual en VDRM y VRRM

Igt — corriente del disparador de la puerta de la C.C.; VD de = C.C. 12 V; RL = Ω 60 para 1 a 16 dispositivos de A y Ω 30 para 20 a 70 dispositivos de A

IGM — Corriente máxima de la puerta

IH — corriente de tenencia de la C.C.; puerta abierta

LAS TIC — Corriente máxima del en-estado

ITSM — Sobretensión delantera del uno-ciclo máximo

PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) — Disipación de poder media de la puerta

PGM — Disipación de poder máxima de la puerta

tgt — Tiempo de abertura controlado de la puerta; pulso de puerta = 100 mA; anchura mínima = 15 µs con los µs del ≤ 0,1 del tiempo de subida

tq — Tiempo conmutado circuito de la vuelta-apagado

VDRM y VRRM — Apagado-estado máximo repetidor adelante e invertir voltaje

Vgt — Voltaje de disparador de la puerta de DC; VD de = C.C. 12 V; RL = Ω 60 para 1 a 16 dispositivos de A y Ω 30 para 20 a 70 dispositivos de A

VTM — Voltaje máximo del en-estado en la corriente clasificada máxima del RMS

Notas generales

• Todas las medidas se hacen en 60 herzios con una carga resistente en una temperatura ambiente del °C +25 salvo especificación de lo contrario.

• La gama de temperaturas de funcionamiento (TJ) es el °C -65 el °C +125 al °C para los dispositivos TO-92 y -40 al °C +125 para el resto de los paquetes.

• La gama de temperaturas de almacenamiento (TS) es el °C -65 el °C +150 al °C para los dispositivos TO-92, -40 al °C +150 para los dispositivos TO-202 y TO-220, y el °C -40 al °C +125 para todos los demás.

• La temperatura de la soldadura de la ventaja es un máximo del °C 230 por 10 segundos de máximo; ≥1/16” (1,59 milímetros) del caso.

• La temperatura de caso (TC) se mide como se muestra en dibujos de esquema dimensionales en el “paquete dimensiona” el sectionof este catálogo.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LTC3824EMSE 6584 LINEAR 14+ MSOP
MCP41100-I/P 5344 MICROCHIP 16+ INMERSIÓN
X28HC64JI-12 500 XICOR 13+ PLCC32
MCZ33989EG 5824 FREESCALE 15+ COMPENSACIÓN
LM6134BIN 1865 NSC 15+ DIP-14
LM555CMX 10000 NSC 15+ SOP-8
NVP1918 5360 NEXTCHIP 16+ QFP
LMV722IDGKR 572 TI 15+ MSOP-8
M24512-WMN6TP 4673 ST 10+ COMPENSACIÓN
ZMM5248B-7 5000 DIODOS 14+ LL34
MC34064D-5R2G 5039 EN 13+ COMPENSACIÓN
LMZ10501SILR 2432 TI 15+ USIP-8
XC3S250E-4PQG208C 1325 XILINX 15+ QFP208
OB2269AP 5580 OB 16+ INMERSIÓN
LM341T-15 6943 NSC 14+ TO-220
LM324DT 40000 ST 12+ SOP-14
LMC660CMX 1273 NSC 14+ SOP-14
PMEG2010EA 24000 15+ SOD-323
MCHC908QT4CDWE 4846 FREESCALE 16+ SOIC
MC3PHACVPE 3520 FREESCALE 13+ INMERSIÓN
L9122 1926 ST 16+ SSOP-36

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