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Transistor de alta velocidad de 20 A de la serie HB2 IGBT TO-247

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDarren Ma
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Transistor de alta velocidad de 20 A de la serie HB2 IGBT TO-247

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Número de modelo :STGWA20H65DFB2
Lugar de origen :Italia
Cantidad mínima de pedido :1 piezas
Condiciones de pago :T/T, L/C
Capacidad de suministro :12000 PCS+48hours
Tiempo de entrega :24-72hours
Detalles del embalaje :El tubo
STMicroelectrónica :STGWA20H65DFB2
Encapsulación :TO-247
Voltaje de saturación del Colector-emisor :1.65V
Corriente de colector continua en 25 C :40A
Pd - Disposición de energía :de una potencia máxima
Cantidad que embala :600 piezas
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Transistor ST 20 de alta velocidad de la serie HB2 IGBT TO-247

 

 

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de productos: Transistores IGBT
Tecnología: Si
Paquete/caja: TO-247-3
Estilo de montaje: a través del agujero
Configuración: único
Voltado máximo del colector emisor VCEO: 650 V
Voltado de saturación del colector-emitidor: 1,65 V
Ventilación máxima de la puerta/el emisor: - 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C: 40 A
Disposición de energía Pd: 147 W
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Embalaje: tubo
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga del emisor de la puerta: 250 nA
Tipo de producto: Transistores IGBT
Envase Cantidad: 600 PCS
Subcategoría: IGBT
Peso de la unidad: 6,100 g

 

 

Transistor de alta velocidad de 20 A de la serie HB2 IGBT TO-247

Transistor de alta velocidad de 20 A de la serie HB2 IGBT TO-247

 

 

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