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Ltd. internacional del este de Stor

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Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDarren Ma

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NI paquete de IC 1G 110ns S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 de memoria Flash

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Number modelo :S29GL01GS11DHIV20

Lugar del origen :Alemania

Cantidad de orden mínima :1pcs

Condiciones de pago :L/C, T/T

Capacidad de la fuente :5200 PCS+48hours

Plazo de expedición :48hours

Detalles de empaquetado :Bandeja

Infineon :S29GL01GS11DHIV20

Encapsulación :FBGA-64

Almacenamiento :1 Gbit

Mínimo del voltaje de fuente :2.7V

Voltaje de fuente de alimentación máximo :3.6V

Temperatura de trabajo mínima :-40℃

Temperatura de trabajo :+80℃

Cantidad que embala :520 PCS

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S29GL01GS11DHIV20 Infineon paralelo de 1G 3V 110ns NI FBGA-64 de destello

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: NI de destello
Estilo de la instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: FBGA-64
Serie: S29GL01G/512/256/128S
Memoria: 1 Gbit
Voltaje de fuente - minuto: 2,7 V
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Actual leída activo (máximo): 60 mA
Tipo de interfaz: Paralelo
Organización: los 64M x 16
Anchura del ómnibus de datos: pedazo 16
Tipo que mide el tiempo: Asincrónico
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 85 C
Paquete: Bandeja
Estructura: Eclipse
Tipo del almacenamiento: NI
Sensibilidad de la humedad: Sí
Velocidad: 110 ns
Cantidad que embala: 520 PCS
Subcategoría: Almacenamiento de la memoria y de datos
Marca: MirrorBit
Peso de unidad: 3 g

S29GL01GS11DHI020

S29GL01GS11DHV020

S29GL01GS11DHB020

S29GL01GS11DHSS20

S29GL01GS11DHAV20

S29GL01GS11DHA020

S29GL01GS11DHB010

S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS11DHV010
S29GL01GS11DHI010

S29GL01GS11DHSS10

S29GL01GS11DHIV13

S29GL01GS11DHB013

S29GL01GS11DHV013

S29GL01GS11DHA023
S29GL01GS11DHV023

S29GL01GS11DHB023

S29GL01GS11DHIV23
S29GL01GS11DHAV23

S29GL01GS11DHSS60
S29GL01GS11DHSS63

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