Eastern Stor International Ltd.

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Manufacturer from China
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3 Años
Casa / Productos / Flash Memory IC /

NI memoria Flash S29GL01GT11FHIV10 asincrónico FBGA-64 del paralelo

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDarren Ma
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NI memoria Flash S29GL01GT11FHIV10 asincrónico FBGA-64 del paralelo

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Number modelo :S29GL01GT11FHIV10
Lugar del origen :Alemania
Cantidad de orden mínima :1pcs
Condiciones de pago :L/C, T/T
Capacidad de la fuente :9000 PCS+48hours
Plazo de expedición :48hours
Detalles de empaquetado :Bandeja
Infineon :S29GL01GT11FHIV10
Encapsulación :FBGA-64
Almacenamiento :1 Gbit
Mínimo del voltaje de fuente :2,7 V
Voltaje de fuente de alimentación máximo :3,6 V
Temperatura de trabajo mínima :-40℃
Temperatura de trabajo :+85℃
Cantidad que embala :900 PC
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S29GL01GT11FHIV10       Infineon       NI de destello NI FBGA-64

 

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: NI de destello
Estilo de la instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: FBGA-64
Serie: S29GL01GT
Memoria: 1 Gbit
Voltaje de fuente - minuto: 2,7 V
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Actual leída activo (máximo): 60 mA
Tipo de interfaz: Paralelo
Organización: el 128M los x 8/64M x 16
Anchura del ómnibus de datos: pedazo 8 bit/16
Tipo que mide el tiempo: Asincrónico
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 85 C
Paquete: Bandeja
Tipo del almacenamiento: NI
Sensibilidad de la humedad: Sí
Velocidad: 110 ns
Cantidad que embala: 900 PCS
Subcategoría: Almacenamiento de la memoria y de datos
Peso de unidad: 3,698 g

 

 

S29GL01GT11FHV010

S29GL01GT11FHIV20

S29GL01GT11FHB020
S29GL01GT11FHV020

S29GL01GT11FHIV13

S29GL01GT11FHIV23
S29GL01GT11FHB023

S29GL01GT11FHIV40
S29GL01GT11FHIV43

 

 

NI memoria Flash S29GL01GT11FHIV10 asincrónico FBGA-64 del paraleloNI memoria Flash S29GL01GT11FHIV10 asincrónico FBGA-64 del paralelo

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