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Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

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3 energía baja F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 del módulo del inversor de la fase IGBT

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Number modelo :F3L75R12W1H3_B27

Lugar del origen :Alemania

Cantidad de orden mínima :1pcs

Condiciones de pago :L/C, T/T

Capacidad de la fuente :500 PCS+48hours

Plazo de expedición :48hours

Detalles de empaquetado :Bandeja

Infineon :F3L75R12W1H3_B27

Configuración :inversor trifásico

voltaje máximo VCEO del Colector-emisor :1,2 kilovoltios

Voltaje de saturación del Colector-emisor :1,45 V

Corriente de colector continua en 25C :45 A

corriente de la salida del Puerta-emisor :nA 100

disipación del Paladio-poder :275 W

Temperatura de trabajo mínima :-40℃

Temperatura de trabajo máxima :+150℃

Empaquetado :24 PC

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F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon ENERGÍA BAJA del módulo de IGBT FÁCIL

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: Módulos de IGBT
Configuración: inversor trifásico
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor: 1,2 kilovoltios
voltaje de saturación del Colector-emisor: 1,45 V
Corriente de colector continua en 25 C: 45 A
corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
disipación del Paladio-poder: 275 W
Paquete/caja: EasyPack1B
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Paquete: Bandeja
Voltaje máximo de la puerta/del emisor: 20 V
Serie: IGBT de alta velocidad H3
Cantidad que embala: 24 PCS
Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Si

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